10分钟具体图解MOS管的结构原理

  MOS管是金属 (metal) — 氧化物 (oxide) — 半导体 (semiconductor) 场效应晶体管，或许称是金属 — 绝缘体 (insulator) — 半导体。MOS管的source和drain是能够对调的，他们都是在P型backgate中构成的N型区。在大都情况下，这个两个区是相同的，即便两头对调也不可能影响器材的功能，这样的器材被认为是对称的。

  双极型晶体管把输入端电流的细小改变扩大后，在输出端输出一个大的电流改变。双极型晶体管的增益就界说为输出输入电流之比 (beta) 。另一种晶体管叫做场效应管 (FET) ，把输入电压的改变转化为输出电流的改变。FET的增益等于它的transconductance， 界说为输出电流的改变和输入电压改变之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压MOS管。

  场效应管经过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流十分小。最一般的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体 (MOS) 晶体管，或金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET) 。由于MOS管更小更省电，所以他们已在许多运用场合替代了双极型晶体管。

  可运用于扩大，由于场效应管扩大器的输入阻抗很高，因而耦合电容能够容量较小，不用运用电解电容器

  在电路设计上的灵活性大，栅偏压可正可负可零，三极管只能在正向偏置下作业，电子管只能在负偏压下作业；别的输入阻抗高，能减轻信号源负载，易于跟前级匹配

  结构和符号 (以N沟道增强型为例)——在一块浓度较低的P型硅上分散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体外表掩盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。

  VGS=0时，不论VDS极性怎么，其间总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道

  VGS＞0时，在Sio2介质中发生一个垂直于半导体外表的电场，排挤P区多子空穴而招引少子电子。当VGS到达必定值时P区外表将构成反型层把两边的N区交流，构成导电沟道

  mos管的三个极别离是：G（栅极），D（漏极）s（源及），要求栅极和源及之间电压大于某一特定值，漏极和源及才干导通。

  MOS驱动器首要起波形整形和加强驱动的效果：假设MOS管的G信号波形不行峻峭，在点评切换阶段会形成很多电能损耗其副效果是下降电路转化功率，MOS管发烧严峻，易热损坏MOS管GS间存在必定电容，假设G信号驱动才能不行，将严峻影响波形跳变的时刻。

  将G-S极短路，挑选万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无限大，而且交流表笔后仍为无限大，则证明此脚为G极，由于它和别的两个管脚是绝缘的。

  将万用表拨至R×1k档别离测量三个管脚之间的电阻。用交流表笔法测两次电阻，其间电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此刻黑表笔的是S极，红表笔接D极。由于测验条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。

  在源-漏之间有一个PN结，因而依据PN结正、反向电阻存在必定的差异，可辨认S极与D极。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

  MOS管的检测首要是判别MOS管漏电、短路、断路、扩大。假设有阻值没被测，MOS管有漏电现象，具体步骤如下：

  把衔接栅极和源极的电阻移开，万用表红黑笔不变，假设移开电阻后表针渐渐逐渐退回到高阻或无限大，则MOS管漏电，不变则无缺。

  然后一根导线把MOS管的栅极和源极衔接起来，假设指针马上回来无限大，则MOS无缺。

  把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，好的表针指示应该是无限大。

  用一只100KΩ－200KΩ的电阻连在栅极和漏极上，然后把红笔接到MOS的源极S上，黑笔接到MOS管的漏极上，这时表针指示的值一般是0，这时是下电荷经过这一个电阻对MOS管的栅极充电，发生栅极电场，由于电场发生导致导电沟道致使漏极和源极导通，故万用表指针偏转，偏转的视点大，放电性越好。

  图中Q27是N沟道MOS管，U22A的1脚输出高电平时Q27导通，将VCC—DDR内存电压降压，得到1.2V—HT总线V_HT总线V。

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