怎么来制作一个基于Arduino的微处理器3相逆变器电路？

  我们已经在之前的一篇文章中研究了一种有效而简单的三相逆变器电路，该电路依赖于

  在当前的概念中，我们还使用这一些专用驱动器IC配置主功率级，但是三相信号发生器是使用Arduino创建的。

  这是因为创建基于 Arduino 的 3 相驱动器可能很复杂，不建议使用。此外，以更便宜的价格获得现成的高效数字IC要容易得多。

  在构建完整的逆变器电路之前，我们第一步需要在Arduino UNO板中编程以下Arduino代码，然后继续其余细节。

  一旦您在Arduino中刻录并确认了上述代码，就该继续配置剩余的电路级了。

  首先，我们将 3 个 IC 连接起来，形成预期的 3 相 MOSFET 驱动级，如下所示：

  组装好驱动板后，BC547晶体管与IC的HIN和LIN输入连接，如下图所示：

  请记住，Arduino需要一些时间才能启动，因此建议先打开Arduino，然后在几秒钟后打开驱动器电路的+12V电源。

  正如我们在上图中所看到的，电路需要在MOSFET附近以二极管和电容器的形式安装几个外部元件。这一些器件在实现高端 mosfet

  虽然图中已经给出了这些电容器的值，但能够正常的使用以下公式专门计算这些电容器的值：

  上述公式可用于计算自举网络的电容值，对于相关的二极管，我们一定要考虑以下标准：

  当高端 MOSFET 导通且其周围的电位几乎等于全桥 MOSFET 电压线路上的 BUS

  电压时，二极管在正向偏置模式下激活或使能，因此自举二极管的额定值必须足以阻止特定图表中指定的全施加电压。

  这看起来相当容易理解，但是为了计算额定电流，我们在大多数情况下要通过将栅极电荷幅度乘以开关频率来进行一些数学运算。

  IRF450的开关频率为100kHz，则二极管的额定电流约为12mA。由于该值看起来非常小，并且大多数二极管的额定电流比通常高得多，因此可能不需要非常注意。

  话虽如此，二极管的过温泄漏特性可能是一个需要仔细考虑的重要的条件，特别是在自举电容可能应该将其电荷存储合理持续一段时间的情况下。在这种情况下，二极管需要是超迅速恢复类型，以最大限度地减少电荷的大小，因为电荷从自举电容被迫回流到IC的电源轨。

  众所周知，由于此类概念涉及许多风险参数，三相逆变器电路中的mosfet非常容易受到损坏，尤其是在使用感性负载时。我已经在之前的一篇文章中详细讨论过这样的一个问题，严格建议参考这篇文章并按照给定的指南实施

  第一个图使用 IC 4049 的六个 NOT 门进行接线。该级用于将Arduino PWM脉冲分成互补的高/低逻辑对，以便桥式三相逆变器驱动器IC

  上面的第二张图构成了提议的Arduino PWM，三相逆变器设计的桥式驱动器级，使用IC IRS3桥式驱动器芯片。

  1K预设用于通过在I的关断引脚上适当调整来控制逆变器的过流限制，如果为逆变器指定了相比来说较高的电流，则可以适当降低1欧姆。