车用逆变器结构优化 助力电动汽车普及

  (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 正大规模地投产，进入商业化运作。这在某种程度上预示着采用新型结构的汽车正在大量推出。从电子系统的角度来看，迄今为止用于(EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的技术主要源自在过去数十年间最初是针对工业应用而开发的各种解决方案。由于汽车行业在商业上和技术上都有不同于工业系统的特定要求，因此就需要开发专用的解决方案。

  考虑到传动系统，特别是逆变器，xEV 的厂商将要应对三大挑战：提高能效、减少相关成本以及最终满足功能性安全要求。ISO26262 标准的引入推动了对智能型、超高的性价比电子解决方案的需求。

  图 1 代表了与永磁同步电机 (PMSM) 一起用于汽车的牵引逆变器的典型结构。它由三个主要部分构成：

  驱动单元通常由单个 PCB 构成，PCB 的连接应尽可能靠近功率模块以最大限度降低 IGBT 栅极信号通路中的寄生元件的数量。

   提供低压和高压之间的电绝缘功能。一流的解决方案有赖于感应式、电容式隔离或光学隔离。

   驱动 IGBT 栅极以使系统达到最高效率。这在某种程度上预示着器件应可提供足够大的电流对栅极进行快充和放电。为达到这一目的，经常在驱动器和 IGBT 之间设置后驱动单元(或升压单元)。

   提供基本的保护功能，如欠压锁定 (UVLO) 功能或去饱和保护 (DESAT) 功能。

  除了上述这些功能，还对栅极驱动器提出了其他要求以抵达安全标准。其中一个主要安全要求规定在发生故障时系统应可以有效的预防或限制电机在车轮产生多余的力矩，这样不可能会出现司机无法控制车辆的情况。对于非同步电机来说，此类策略(相对)易于部署，这是由于系统的安全状态是通过打开所有开关实现;IGBT 是常态下处于关断状态的器件，因此安全状态是逆变器的默认状态。

  对于永磁同步电机 (PMSM)来说，由于在高转速 (RPM) 下，磁激励可能会引起过压，因此情况更复杂。这会导致逆变器组件受到破坏。 例如基于机械子系统或斩波器的解决方案，数种方法在工业系统中通过应用证明其可行性，从而限制低于逆变器额定值的过压情况。但是，这些支持系统会产生额外成本，导致这一解决方案对于车用逆变器而言缺乏实际可用性。

  抗故障主动短路 (ASC) 策略的部署能轻松实现系统的安全目标。该策略确保在每个单独的故障情况下，逆变器通过短接电机相线 矢量(或称为主动短路)。

   冗余电源系统(通常由直流链接提供)，该系统确保驱动板的某些关键功能始终启用从而使 IGBT 保持在打开的状态。

   监控 IGBT 的状态以实时检查从主逻辑电路到 IGBT 自身的 PWM 命令有没有一致性。

   在应用生命周期中提高系统的可测试性，以跟踪系统的潜在故障。

  分开实施此类措施不仅会明显地增加材料清单成本，而且还会增加驱动板 PCB 的尺寸，这在满足汽车内部的空间局限要求上会产生问题。

   功能集成：每个新一代硅技术都可提升集成级别，意味着分立式功能能在 ASSP 内集成。在许多汽车系统中均可发现相关的连续集成措施，特别是在传统的 ECU 上。

   功能叠加：ASC 策略的实施依靠超越电隔离障碍传输一系列的信号。由于栅极驱动器已经内置了电隔离功能，因此是在电隔离通信通道中对多个功能进行叠加的理想选择。

  为实现功能集成与功能叠加，栅极驱动器必须数字化，至少部分数字化。这个措施能够最终靠向栅极驱动器添加数字接口实现。至低压主要逻辑电路的通信链接将用于在系统启动时对器件进行配置，提供每一驱动器在运行期间的状态信息以及触发侵入式系统检测。应注意，通信链接并不一定要直接控制 IGBT 的开关行为，但可以视为

  常规 PWM 命令的并行通道。鉴于此，标准中速通信接口，如串联外围设备接口 (SPI)，会是不错的选择。

   故障注入层级：注入假设的故障(如虚拟的 DESAT 事件)，检验系统是否能对此类事件做出正确反应。

   信号一致性检验层级：通过 SPI 读取栅极驱动器发送和接收到的信号级别。

  一些分立式安全功能已分布于系统的各个不同组件上。在驱动器中集成了先进的 IGBT 状态监视器和栅极监视器。这样在逆变器工作过程中可以对 IGBT 状态进行实时监控。例如，通过扩展大家熟悉的去饱和保护功能，可以对 IGBT 进行监视。

  通常 DESAT 保护功能在打开状态下会对 IGBT 的 Vce 电压进行监视。当超过电压阈值(通常是 9V)时,在检测到短路状况时，IGBT 会自动关断。DESAT 的扩展功能能实现对 Vce 电压的持续监控。比较器的结果被持续送往低压侧，信息以数字信号的形式提供给低压逻辑电路。智能型低压逻辑电路接下来可以

  将 IGBT 状态与初始的 PWM 命令作比较。需要用延迟功能与过滤器以补偿超越电隔离障碍时的 IGBT 开关时间和传播时间。